| 1. | SIMS−S-SIMSにおける相対強度軸目盛の繰り返し性と整合性（ISO 23830） |
| | | −正しい強度の計測− |
| | | | Static-SIMSは材料の最表面に存在する化学種の同定や，ポリマーブレンドなどの混合物の定量的な評価に用いられます．
本規格にはこれらの評価を行う際に重要となる繰り返し性や相対強度の整合性についての評価について述べられています．
セミナーではこの規格に従って繰り返し性の評価が行えることを目指します． |
| | 伊藤博人（コニカミノルタテクノロジーセンター(株) 先端材料技術研究所 分析技術室） |
| | | | |
| 2. | SIMS−シリコン内のボロンの深さ方向分布測定方法（JIS K 0164，ISO 17560） |
| | | −正しい深さ校正− |
| | | | 本規格には，ダイナミックSIMSを用いてシリコン中のボロンの深さ方向分布を測定するための方法が記述されています．
セミナーでは、SIMS測定の手順や深さ方向の校正，相対感度補正係数を用いた定量などについて概説し，
SIMSによる微量元素の深さ分析の一連の流れが理解できるようになることを目指します． |
| | 阿部芳巳（(株)三菱化学科学技術研究センター 分析部門横浜分析センター機能解析グループ） |
| | | | |
| 3. | SIMS−多層デルタ参照物質を用いたシリコンのスパッタ深さの校正法（ISO 23812） |
| | | −最表面から内部までの正しい深さ校正− |
| | | | 本規格には，多重デルタ参照物質を用いたSIMS深さ方向分析の深さスケールを校正する手順が記述されています．
適用対象は，50 nm未満の浅い領域におけるシリコンですが，スパッタ速度が安定していない表面遷移層には適用できません．
セミナーでは，多重デルタ参照物質を用いたスパッタ速度の決定方法と得られたスパッタ速度を用いた分析対象試料の深さ校正について概説します．
この規格に従って，浅いSIMS深さ方向分析において，表面遷移層の影響を受けずに深さスケールを校正することを目指します． |
| | 大友晋哉（古河電気工業(株) 横浜研究所解析技術センター） |
| | | | |
| 4. | スパッタ深さ方向分析−スパッタ深さ測定法（TS K 0012，ISO/TR 15969） |
| | | −様々なスパッタ深さ測定法− |
| | | | 本技術報告書には，スパッタ深さ方向分布測定におけるスパッタ深さを測定するための指針が示されています．
セミナーでは，AES/XPSで現在最も一般的に用いられているSiO2換算膜厚に重点をおきながら，各種測定方法を概説します． |
| | スパッタ深さ方向分析−スパッタ速度の測定法：メッシューレプリカ法（ISO/TR 22335） |
| | | −正しいスパッタ速度の測定− |
| | | | 本技術報告書には，AES/XPSによるスパッタ深さ方向分布測定において
スパッタ速度を決定する一つの方法(メッシュ-レプリカ法)が示されています．
セミナーでは，この方法の手順や注意点について概説します． |
| | 佐藤美知子（富士通クオリティ・ラボ(株) 材料分析事業部） |
| | | | |
| 5. | XPS−装置性能を示す主要な項目の記載方法（JIS K 0162，ISO 15470） |
| | | −異なるXPS装置の結果と比較− |
| | AES−装置性能を示す主要な項目の記載方法（JIS K 0161，ISO 15471） |
| | | −異なるAES装置の結果と比較− |
| | | | 両規格では，X線光電子分光器およびオージェ電子分光器について，
装置性能を比較するための項目を記載する方法について述べられています．
セミナーでは，装置の性能を記述する各項目について説明し，装置間の性能比較の問題点を理解した上で，
装置購入者がこの規格に従って装置性能を読み取ることができるようになることを目指します． |
| | 眞田則明（アルバック・ファイ(株) 市場開発部） |
| | | | |
| 6. | AES−帯電制御と帯電補正に用いた手法の報告方法（ISO 29081） |
| | | −絶縁物の正しいAES分析− |
| | | | 本規格には，オージェ電子分光法（AES）により絶縁性試料を測定する際の効果的な帯電制御方法や，
帯電補正に用いた手法の報告方法の指針が示されています．
セミナーでは，実用的な各種帯電制御方法に重点をおいて概説します． |
| | 荒木祥和（(株)日産アーク マテリアル解析部） |
| | | | 本規格では，表面分析を実際に行う者（分析実施者）に対して、AES, SIMS, XPSなどの分析で |
| 1. | 各手法共通−分析試料の前処理と取り付けに関するガイドライン（ISO 18116） |
| | | −正しい結果を得るための試料前処理と取り付け− |
| | | | 本規格では，表面分析を実際に行う者（分析実施者）に対して，
AES, SIMS, XPSなどの分析で要求される特別な試料の取扱条件，例えば，表面処理の方法や試料の装着法に関する指針が示されています．
セミナーでは，正しい結果を得るための試料前処理と取り付け方法について概説します． |
| | 各手法共通−分析前の試料の取り扱い（ISO 18117） |
| | | −正しい結果を得るための各種試料の扱い方− |
| | | | 本規格では，表面分析のサービスを受けるユーザー（依頼者）に対して，
AES, SIMS, XPSなどの分析で要求される試料の取り扱い，準備，保管と搬送についての指針が示されています．
セミナーでは，正しい結果を得るための各種試料の扱い方について概説します． |
| | 柳内克昭（TDK(株) ヘッドビジネスグループ解析チーム） |
| | | | |
| 2. | XPS−分析のガイドライン（ISO 10810） |
| | | −正しいXPS分析を効率よく行うために− |
| | | | 本規格には，効率的で有意義な分析結果を得るためのXPS操作方法が記されています．
セミナーでは，分析に取りかかる前に把握・考慮しておかなければならない事項や，実際に分析を行う際の手順・方法について概説します．
この規格に沿って，効果的で正確な分析が行えるようになることを目指します． |
| | 薗林豊（京都大学 大学院工学研究科 材料工学専攻 教育研究支援室） |
| | | | |
| 3. | XPS−帯電制御と帯電補正に用いた手法の報告方法（ISO 19318） |
| | | −絶縁物の正しいXPS分析− |
| | | | 本規格には，XPS法による絶縁性試料の分析結果を報告する際に，内殻電子の結合エネルギーと共に記述するべき，測定に用いた帯電制御と帯電補正の報告方法の指針が示されています．
セミナーでは実用的な帯電制御方法，帯電補正方法について概説します． |
| | 高野みどり（パナソニックエレクトロニクスデバイス(株) 品質改革センター） |
| | | | |
| 4. | スパッタ深さ方向分析−層構造系標準物質を用いた最適化法（JIS K 0146，ISO 14606） |
| | | −高精度スパッタ深さ分析のための装置パラメータの最適化− |
| | | | 本規格には，スパッタ深さ方向分析におけるイオン銃の最適化のための手順が示されています．
セミナーでは，イオン銃の最適化の指標となる深さ分解能に関し，測定方法や影響を与えるパラメータについて概説します． |
| | 石津範子（パナソニック(株) マテリアルサイエンス解析センター） |
| | | | |
| 5. | 中エネルギー分解能AES−元素分析のためのエネルギー軸目盛の校正（ISO 17973） |
| | | −正しいAES分析− |
| | 高エネルギー分解能AES−元素と化学状態分析のためのエネルギー軸目盛の校正（ISO 17974） |
| | | −正しいAES分析− |
| | XPS−エネルギー軸目盛の校正（JIS K 0145，ISO15472） |
| | | −正しいXPS分析− |
| | | | 本規格では，AESとXPSによる定性分析及び化学状態分析を行うための，装置の運動エネルギー目盛軸の検査と校正方法が記述されています．
本セミナーでは，何故目盛軸の検査と校正が必要なのか，装置の動作原理を含めて，校正の方法・手順について概説します． |
| | 岩井秀夫（(独)物質・材料研究機構 中核機能部門 分析支援ステーション） |
| | | | |
| 6. | AES & XPS−均質物質定量分析のための実験的に求められた相対感度係数の使用指針（ISO18118，JIS K 0167） |
| | | −均質物質の正しい定量分析− |
| | | | 本規格では，相対感度係数を用いて行うAES及びXPSによる均質物質の定量分析の方法について述べられています．
セミナーでは，相対感度係数の種類や定義などについて説明するとともに，この相対感度係数を用いた定量分析の方法・手順について概説します．
この規格に従って定量分析を行えるようになることを目指します． |
| | 永富隆清（大阪大学 大学院工学研究科 物質生命工学講座） |
| | | | |