第36回表面分析研究会プログラム(2011.2.1 現在)

開催日時:2011年 2月 3日(木) 13:00 ~ 4日(金) 16:00(予定)
開催場所:大阪大学中ノ島センター

第1日目: 2 月 3 日(木)


12:30 ~ 13:00受付
13:00 ~ 13:10開会挨拶
一般講演
13:10 ~ 13:40 「原子間力顕微鏡を用いた遷移金属酸化物におけるメモリ効果の機構解明」木下 健太郎(鳥取大学)
13:40 ~ 14:10「カーボンの耐酸化特性のXPS評価」中村 和正(福島大学)
ワーキンググループ
14:10 ~ 16:50ワーキンググループ討議(詳細はこちら
16:50 ~ 17:00会場整理
17:30 ~ 19:30懇親会
19:30 ~ 21:30ソフトウェア勉強会(希望者のみ:詳細はこちら


第2日目: 2 月 4 日(金)


09:15 ~ 09:30受付
一般講演
09:30 ~ 10:10「スペクトル強度分散評価 -XPSでのRRTの最終報告、およびAESでの
予備検討の現状-」
福島 整((独) 物質・材料研究機構)
10:10 ~ 10:30「Ag酸化物のAg 3d のケミカルシフトの解析」福島 整((独) 物質・材料研究機構)
10:30 ~ 10:50休憩
10:50 ~ 11:20「角度可変反射電子エネルギー損失分光スペクトルからの因子分析を用いた解析
~Ⅲ族-Ⅴ族半導体(GaSb,GaP,GaN)におけるエネルギー損失関数の解析~」
田中 肇((独) 物質・材料研究機構)
11:20 ~ 11:50「高分子TOF-SIMSスペクトルのG-SIMSによる解析」青柳 里果(島根大学)
11:50 ~ 13:20昼食
ワーキンググループ
13:20 ~ 15:20ワーキンググループ討議と報告(詳細はこちら
15:20 ~ 15:30連絡・挨拶
敬称略

以上

変更がありましたら、そのつどご案内いたします。


Return to Top Page