| 本標準物質は，オージェ電子分光，X線光電子分光，二次イオン質量分析などにおけるイオンスパッタリングによる深さ方向分析の測定条件の調整のために用いることができる。 |
| 認証書例 |
| ［試料の構造］ |
| 試料の構造を図１に示す。本標準物質は，有機金属気相成長法により，GaAs基板上にGaAsバッファー層を堆積した後， AlAs層， GaAs層を交互に積層したものである。 |
 図１ 試料構造 |
| ［デプスプロファイル］ |
| イオンスパッタリングを用いたオージェ電子分光法により，本標準物質を測定して得られたデプスプロファイルを図２に示す。 |
 図２ AESによる深さ方向分析例 |
| ［試料サイズ］ 10mm × 10mm ［販売価格］ 80,000円／個（消費税、国内外 送料含む） ［問合せ先］ 表面分析研究会 URL:http://www.sasj.jp/ E-MAIL: standard-material@sasj.jp |
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作 製 ：工業技術院 物質工学工業技術研究所 |