表面ヒョウメン化学カガク分析ブンセキに関カカわる用語ヨウゴ解説カイセツ（TASSAのたまご）一覧イチラン
ISO/TC201委員会（国際コクサイ標準化ヒョウジュンカ機構キコウ/第ダイ201専門センモン委員会イインカイ）において表面化学分析（surface chemical analysis: SCA）に関わる用語の定義がISO18115として2001年に定められ，その後ゴ用語ヨウゴの追加ツイカも行オコナわれました（ISO18115:2001，ISO18115:2001/Amd1:2006，ISO18115:2001/Amd2:2006）．国内では､ISO18115を邦訳たJISが発行されました（JIS K0147:2004）．しかしながら，用語の定義だけでは，規格を読まれた方が正しい解釈や正しい用語使用ができないのではないかと思われる部分も見受けられます．そこで表面分析研究会（SASJ）標準化活動部会では，これまでSASJの活動カツドウの一環イッカンとして，表面ヒョウメン化学カガク分析ブンセキに関連カンレンする用語ヨウゴ（ISO:18115:2001，JIS K0147:2004)の中ナカで特トクに重要ジュウヨウと思オモわれる用語ヨウゴについて，各カク用語ヨウゴの解説カイセツをSASJの機関紙キカンシJournal of Surface Analysis (JSA)へ掲載ケイサイしてきました．このページでは，それら用語ヨウゴの一覧イチランと，解説カイセツが掲載ケイサイされているJSA記事キジの情報ジョウホウを提供テイキョウしています．JSAの記事キジは自由ジユウにダウンロードできますのでご利用リヨウください． 　用語には【TASSA-Vocabulary-001t】というような番号を付与しています．最後の"t"でたまご（temporary）を意味させています．最終的に用語集として整理する際には，分野別あるいは五十音順などの規則に従シタガって並べ直す予定であるため，用語番号は変わることになりますのでご了承ください． 　今後コンゴも用語ヨウゴの解説カイセツを増フやしていく予定ヨテイです．もし皆様ミナサマの中ナカで，ISO18115:2001（あるいはJIS K0147:2004）の中ナカで解説カイセツして欲ホしい用語ヨウゴがありましたら，お気軽キガルにSASJのWeb担当タントウ（www-admin@sasj.jp）までご連絡レンラクください．
	用語ヨウゴNo	英エイ用語ヨウゴ	和ワ用語ヨウゴ	掲載ケイサイされているJSAの			記事キジへのリンク
				巻カン	号ゴウ	ページ
	001t	fractional ion yield	部分ブブンイオン収率シュウリツ	Vol. 10	No. 3	p. 272	第1回 JSA Vol. 10, No. 3 (2003) pp. 272-282
	002t	negative ion yield	負フイオン収率シュウリツ			p. 272
	003t	positive ion yield	正セイイオン収率シュウリツ			p. 272
	004t	useful ion yield	実効ジッコウイオン収率シュウリツ			p. 273
	005t	glow discharge mass spectrometry	グロー放電ホウデン質量シツリョウ分析法ブンセキホウ（GD-MS）			p. 273
	006t	glow discharge optical emission spectrometry	グロー放電ホウデン発光ハッコウ分光法ブンコウホウ（GD-OES）			p. 273
	007t	glow discharge spectrometry	グロー放電分析法ホウ			p. 274
	008t	emission yield	発光ハッコウ収率シュウリツ			p. 274
	009t	mass absorption coefficient, mass attenuation coefficient	質量吸収係数，質量減衰係			p. 275
	010t	Auger electron spectroscopy (AES)	オージェ電子デンシ分光ブンコウ法ホウ（AES）			p. 275
	011t	angle-resolved AES (ARAES), angle-dependent AES	角度分解（依存）型オージェ電子分光（ARAES）			p. 276
	012t	Auger de-excitation	オージェ脱ダツ励起レイキ			p. 277
	013t	attenuation length, electron attenuation length	減衰長さ，電子の減衰長			p. 278
	014t	photoionization cross-section, sub-shell photoionization cross-section	光イオン化断面積，副殻光イオン化断面積メンセキ			p. 278
	015t	crater depth	クレータ深フカさ			p. 279
	016t	depth profile, vertical profile	深フカさ方向ホウコウ分布ブンプ，垂直スイチョク方向ホウコウ分布ブンプ			p. 279
	017t	depth profiling	深フカさ方向ホウコウ分布ブンプ測定ソクテイ			p. 279
	018t	altered layer	変質ヘンシツ層ソウ			p. 280
	019t	atomic mixing	アトミックミキシング			p. 280
	020t	cascade mixing	カスケードミキシング			p. 280
	021t	dead time	不フ感カン時間ジカン			p. 281
	022t	extended dead time	延長エンチョウ不フ感カン時間ジカン			p. 281
	023t	secondary-ion yield	二次ニジイオン収率シュウリツ	Vol. 11	No. 1	p. 38	第2回 JSA Vol. 11, No. 1 (2004) pp. 38-50
	024t	defree of ionization	イオン化カ率リツ，イオン化カ係数ケイスウ（非ヒ推奨スイショウ）			p. 38
	025t	Shirley background	シャーリーバックグラウンド	Vol. 11	No. 2	p. 129	第3回 JSA Vol. 11, No. 2 (2004) pp. 129-159
	027t	Tougaard background	ツガードバックグラウンド			p. 130
	028t	Auger electron	オージェ電子	Vol. 11	No. 1	p. 39	第2回 JSA Vol. 11, No. 1 (2004) pp. 38-50
	029t	Auger electron spectrum	オージェ電子デンシスペクトル			p. 39
	030t	Auger electron yield	オージェ電子デンシ収率シュウリツ（利得リトク）			p. 41
	031t	Auger neutralization	オージェ中和チュウワ			p. 41
	032t	fluorescence	蛍光ケイコウ			p. 41
	033t	fluorescent yield	蛍光ケイコウ収率シュウリツ			p. 42
	034t	secondary-ion mass spectrometry (SIMS)	二次ニジイオン質量シツリョウ分析法ブンセキホウ（SIMS）			p. 42
	035t	dynamic SIMS	ダイナミックSIMS			p. 43
	036t	static SIMS	スタティックSIMS			p. 44
	037t	relative elemental sensitivity factor	元素ゲンソ相対ソウタイ感度カンド係数ケイスウ			p. 45
	038t	relative isotopic sensitivity factor	同位体ドウイタイ相対ソウタイ感度カンド係数ケイスウ			p. 45
	039t	matrix effect	マトリックス効果コウカ			p. 45
	040t	Auger parameter	オージェパラメータ			p. 45
	041t	X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)	X線セン光電子コウデンシ分光ブンコウ法ホウ（XPS）			p. 46
	042t	ultra-violet photoelectron spectroscopy (UPS)	紫外シガイ光電子コウデンシ分光ブンコウ（UPS）			p. 47
	043t	Angle-resolved XPS (ARXPS), Angle-dependent XPS	角度カクド分解ブンカイXPS（ARXPS），角度カクド依存イゾンXPS			p. 48
	044t	constant ΔE mode, constant analyzer energy mode, CAE mode, fixed analyzer transmission mode, FAT mode	ΔE一定イッテイモード，分析ブンセキエネルギー一定イッテイモード，CAEモード，分析ブンセキ器ウツワトランスミッション固定コテイモード，FATモード			p. 49
	045t	constant ΔE/E mode, constant retarding ratio mode, CRR mode, fixed retardation mode, FRR mode	ΔE/E一定モード，減速ゲンソク率リツ一定モード，CRRモード，減速ゲンソク率リツ固定モード，FRRモード			p. 50
	046t	critical angle	臨界角リンカイカク	Vol. 11	No. 2	p. 132	第3回 JSA Vol. 11, No. 2 (2004) pp. 129-159
	047t	glancing angle	視シ射シャ角カク			p. 134
	048t	depth resolution	深フカさ分解能ブンカイノウ			p. 135
	049t	instrumental depth resolution	装置起源深さ分解能（AES, SIMS, XPS）			p. 136
	050t	detector efficiencfy	検出器ケンシュツキ効率コウリツ			p. 136
	051t	detection limit	検出ケンシュツ限界ゲンカイ			p. 140
	052t	solid angle of analyzer	検出ケンシュツ器ウツワ立体リッタイ角カク			p. 145
	053t	electron spectrometer	電子デンシ分光器ブンコウキ			p. 145
	054t	electron energy analyser	電子エネルギー分析器ウツワ			p. 146
	055t	adventitious carbon referencing	自然シゼン付着フチャク炭素タンソエネルギー基準キジュン			p. 147
	056t	internal carbon referencing	内部ナイブ炭素タンソ基準キジュン			p. 147
	057t	magic angle	マジックアングル			p. 148
	058t	asymmetry parameter	非対称ヒタイショウパラメータ			p. 148
	059t	binding energy	束縛ソクバクエネルギー			p. 149
	060t	transport cross-section	輸送断面積メンセキ			p. 150
	061t	plasmon	プラズモン			p. 150
	062t	transport mean free path	輸送ユソウ平均ヘイキン自由ジユウ行程コウテイ			p. 152
	063t	surface	表面ヒョウメン			p. 153
	064t	surface contamination	表面ヒョウメン汚染オセン			p. 153
	065t	inelastic background	非ヒ弾性ダンセイ散乱サンランバックグラウンド	Vol. 11	No. 3	p. 230	第4回 JSA Vol. 11, No. 3 (2004) pp. 230-231
	066t	instrumental background	装置ソウチ起源キゲンバックグラウンド			p. 230
	067t	secondary electron	二次ニジ電子デンシ	Vol. 11	No. 2	p. 154	第3回 JSA Vol. 11, No. 2 (2004) pp. 129-159
	068t	photoelectric effect	光電コウデン効果コウカ			p. 155
	069t	Faraday cup	ファラデーカップ			p. 156
	070t	angle of emission	放出ホウシュツ角度カクド			p. 157
	071t	angle of incidence	入射角ニュウシャカク			p. 158
	072t	angle of scattering	散乱サンラン角カク			p. 158
	073t	take-off angle	脱出ダッシュツ角カク			p. 159
	074t	interface	界面	Vol. 13	No. 1	p. 113	第5回 JSA Vol. 13, No. 1 (2006) pp. 113-133
	075t	sputter depth profile, SDP	スパッタ深さ方向分布, SDP			p. 113
	076t	beam current	ビーム電流			p. 114
	077t	energy loss	エネルギー損失			p. 115
	078t	X-ray ghost line	X 線ゴースト線			p. 116
	079t	X-ray line width	X 線幅			p. 117
	080t	Fermi energy/Fermi level	フェルミエネルギー／フェルミ準位			p. 118
	081t	Fermi level referencing	フェルミ準位基準			p. 120
	082t	work function	仕事関数			p. 122
	083t	valence band spectra	価電子帯スペクトル			p. 124
	084t	chemical shift	化学シフト			p. 125
	085t	shake-off，shake-up	シェイク・オフ，シェイク・アップ			p. 128
	086t	charge Neutralisation	帯電中和			p. 130
	087t	X-ray monochromator	X 線モノクロメータ			p. 132
	088t	primary electron	一次電子			p. 132
	089t	backscattered electron	背面散乱電子			p. 133